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J-GLOBAL ID：200903075080823571

半導体不揮発性メモリ及び半導体装置

Inventor：
黒川 義元

About 黒川 義元

, 
加藤 清

About 加藤 清


Applicant, Patent owner：
株式会社半導体エネルギー研究所

About 株式会社半導体エネルギー研究所


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001165480
Publication number (International publication number)：2002359307
Application date： May. 31, 2001
Publication date： Dec. 13, 2002
Summary：
【要約】【課題】記憶情報の書き込みまたは消去が、高速且つ低消費電力で行なえ、書き込みまたは消去後のしきい値電圧の分布幅が非常に狭い半導体不揮発性メモリを提供する。【解決手段】メモリトランジスタのチャネル領域102を、書き込み制御領域106と、書き込み領域107との二つの領域に分割する。書き込み制御領域106と、書き込み領域107とではしきい値電圧が異なる。また、書き込みは書き込み領域106のみで行なう。書き込みにより、浮遊ゲート109に蓄積された電荷量が特定の値に達すると、書き込み制御領域106がオフになる。この書き込み制御領域106を書き込み動作のスイッチとして利用し、書き込みを自動的に停止する。これにより、高速且つ低消費電力の書き込みが行なえ、書き込み後のしきい値電圧の制御性に優れたメモリトランジスタを実現する。
Claim (excerpt)：
チャネル領域、ソース領域及びドレイン領域と、前記チャネル領域に積層された第一の絶縁膜と、前記第一の絶縁膜に積層された浮遊ゲートと、前記浮遊ゲートに積層された第二の絶縁膜と、前記第二の絶縁膜に積層された制御ゲートと、からなるメモリトランジスタにより構成された半導体不揮発性メモリであって、前記チャネル領域は書き込み制御領域と、書き込み領域と、からなり、書き込み時に、前記書き込み制御領域から前記浮遊ゲートへの電荷注入を遮断する手段と、前記書き込み領域から前記浮遊ゲートへ電荷注入を行なう手段と、前記書き込み領域から前記浮遊ゲートへの電荷注入を停止する手段とを有することを特徴とする半導体不揮発性メモリ。
IPC (5)：
H01L 21/8247 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (3)：
H01L 27/10 461 ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
F-Term (25)：
5F083EP03 ,  5F083EP22 ,  5F083EP48 ,  5F083EP77 ,  5F083ER03 ,  5F083ER05 ,  5F083ER16 ,  5F083ER21 ,  5F083GA15 ,  5F083HA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA39 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083ZA13 ,  5F083ZA14 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA03 ,  5F101BA12 ,  5F101BA24 ,  5F101BB02 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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