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J-GLOBAL ID：200903075085864683

炭化珪素系複合材料およびその製造方法

Inventor：
河合 千尋

About 河合 千尋


Applicant, Patent owner：
住友電気工業株式会社

About 住友電気工業株式会社


Agent (1)： 上代 哲司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998369299
Publication number (International publication number)：2000192168
Application date： Dec. 25, 1998
Publication date： Jul. 11, 2000
Summary：
【要約】【課題】 放熱基板、特に半導体装置に有用な高い熱伝導率のAl-SiC系またはCu-SiC系の炭化珪素系複合材料を提供する。【解決手段】 アルミニウムまたは銅を主成分とする金属を第一成分とし、炭化珪素を主成分とする粒子を第二成分とする炭化珪素系複合材料であって、それを構成する炭化珪素粒子のアスペクト比が1を越え、その第一の方向の熱伝導率をKxとし、同方向に直交する第二の方向の熱伝導率をKyとすると、0.7Kx≦Ky≦0.9Kxの関係を満たす炭化珪素系複合材料である。この材料は、上記第一成分と、アスペクト比が1を越える粒子からなる炭化珪素粉末を主成分とする第二成分との原料粉末を混合・成形した後、アルミニウムまたは銅を主成分とする金属の融点以上の温度で加熱し焼結することによって得られる。
Claim (excerpt)：
アルミニウムまたは銅を主成分とする金属を第一成分とし、炭化珪素を主成分とする粒子を第二成分とする炭化珪素系複合材料であって、該炭化珪素を主成分とする粒子は、そのアスペクト比が1を越え、該複合材料の第一の方向の熱伝導率をKx、該方向に直交する第二の方向の熱伝導率をKyとした時、0.7Kx≦Ky≦0.9Kxの関係を満たす炭化珪素系複合材料。
IPC (17)：
C22C 1/10 ,  B22F 3/17 ,  B22F 3/24 ,  C22C 1/05 ,  C22C 9/00 ,  C22C 29/06 ,  C22C 32/00 ,  C22F 1/04 ,  C22F 1/00 603 ,  C22F 1/00 627 ,  C22F 1/00 628 ,  C22F 1/00 650 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 687 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/08 ,  H01L 23/373
FI (19)：
C22C 1/10 G ,  B22F 3/24 F ,  C22C 1/05 C ,  C22C 1/05 E ,  C22C 9/00 ,  C22C 29/06 Z ,  C22C 32/00 F ,  C22C 32/00 U ,  C22F 1/04 Z ,  C22F 1/00 603 ,  C22F 1/00 627 ,  C22F 1/00 628 ,  C22F 1/00 650 F ,  C22F 1/00 661 Z ,  C22F 1/00 687 ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/08 F ,  B22F 3/02 101 C ,  H01L 23/36 M
F-Term (24)：
4K018AA04 ,  4K018AA15 ,  4K018AB02 ,  4K018AC01 ,  4K018BB01 ,  4K018BC01 ,  4K018BC09 ,  4K018DA18 ,  4K018EA44 ,  4K018FA11 ,  4K018KA32 ,  4K018KA62 ,  4K020AA22 ,  4K020AC01 ,  4K020AC04 ,  4K020BB26 ,  4K020BB29 ,  4K020BC02 ,  5F036AA01 ,  5F036BA23 ,  5F036BB01 ,  5F036BD01 ,  5F036BD03 ,  5F036BD14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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