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J-GLOBAL ID:200903075092897619
プラズモン共鳴リソグラフィおよびリソグラム
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006193061
Publication number (International publication number):2008021869
Application date: Jul. 13, 2006
Publication date: Jan. 31, 2008
Summary:
【課題】マスクパターンの方向に制限がなく、かつマスク枚数や作業量の増加がなく、マスクパターンの最小線幅よりも狭いレジストパターンの形成を可能にし、従来技術にはない新規な露光・パターン形成を行う近接場リソグラフィおよびリソグラムを提供することを目的とする。【解決手段】フォトマスクを介してフォトレジストに光を照射し露光して前記フォトマスク近傍に発生する近接場光により前記フォトレジストを感光する近接場光リソグラフィであって、前記フォトマスクへの照射光の周波数を、前記フォトマスクの遮光膜内で発生するプラズモン共鳴の周波数と一致させる。【選択図】図3
Claim (excerpt):
フォトマスクを介してフォトレジストに光を照射し露光して前記フォトマスク近傍に発生する近接場光により前記フォトレジストを感光する近接場光リソグラフィであって、
前記フォトマスクへの照射光の周波数を、前記フォトマスクの遮光膜内で発生するプラズモン共鳴の周波数と一致させることを特徴とするプラズモン共鳴リソグラフィ。
IPC (2):
FI (3):
H01L21/30 502D
, G03F7/20 521
, G03F7/20 501
F-Term (9):
2H097CA12
, 2H097GA30
, 2H097LA10
, 2H097LA17
, 5F046AA11
, 5F046AA13
, 5F046BA01
, 5F046BA10
, 5F046CA02
Patent cited by the Patent:
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