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J-GLOBAL ID：200903082423198453

マスク、露光装置及び方法

Inventor： 稲生 耕久 ,  黒田 亮
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 藤元 亮輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002269497
Publication number (International publication number)：2004111500
Application date： Sep. 17, 2002
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】解像度、スループット及び経済性に優れた露光をもたらす近接場光用のマスク、露光装置及び方法を提供する。【解決手段】互いに直交する方向に長手方向を有する開口が形成されたマスクを被処理体に密着させるステップと、前記各方向以外の方向に偏光した露光光を前記マスクに照射するステップとを有することを特徴とする露光方法を提供する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

互いに直交する方向に長手方向を有する開口が形成されたマスクを被処理体に密着させるステップと、 前記各方向以外の方向に偏光した露光光を前記マスクに照射するステップとを有することを特徴とする露光方法。

IPC (4)：

H01L21/027 ,  B82B3/00 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20

FI (6)：

H01L21/30 502D ,  B82B3/00 ,  G03F1/08 B ,  G03F1/08 N ,  G03F1/08 D ,  G03F7/20 521

F-Term (16)：

2H095BA03 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BE03 ,  5F046BA02 ,  5F046BA10 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046CB15 ,  5F046CB17 ,  5F046CB23 ,  5F046CC01 ,  5F046CC02 ,  5F046DA01 ,  5F046DA02 ,  5F046DD03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 近接場光露光マスク及びその製造方法並びに近接場光露光装置及び近接場光露光方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-282601   Applicant：江刺正喜, 小野崇人
• 露光方法及び露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-354150   Applicant：株式会社東芝
• 露光方法及び露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-201333   Applicant：キヤノン株式会社
• 露光照明装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-010227   Applicant：ソニー株式会社
• 光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-319781   Applicant：株式会社日立製作所
• 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-098448   Applicant：キヤノン株式会社
• 近接場光露光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-188219   Applicant：富士写真フイルム株式会社