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J-GLOBAL ID：200903073685181838

マスク多重露光による近接場光露光方法

Inventor：
納谷 昌之

About 納谷 昌之


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002031099
Publication number (International publication number)：2003234274
Application date： Feb. 07, 2002
Publication date： Aug. 22, 2003
Summary：
【要約】【課題】 光源波長に制限されない近接場光を用いて100nm以下の微細パターンの露光が可能な低コストの近接場光露光方法を提供する。【解決手段】 照射光を受けて近接場光を発生させる露光マスクにより第2レジスト層に近接場光を照射してレジスト層を現像して回析格子パターンを形成し、これをエッチング・マスクとして第1のレジスト層をドライエッチングして基板上にパターンを形成する近接場光露光方法において、複雑なパターン4を、1方向に並んだスリットパターン毎5、6に分割し、分割したスリットパターン毎に露光マスク2、3を複数用意し、最適露光条件により露光して複雑なパターンを形成するようにした。
Claim (excerpt)：
基板上にドライエッチングにより除去可能な第1レジスト層と光照射による照射部分または非照射部分のみが現像溶媒に可溶となる感光性の耐ドライエッチング性を有する第2レジスト層をこの順に積層した記録材料に、照射光を受けて近接場光を発生させる露光マスク等の発生手段により記録材料の第2レジスト層に近接場光を所望のパターン状に照射してレジスト層を現像することにより回析格子パターンを形成して、このレジスト層のパターンをエッチング・マスクとして第1レジスト層をドライエッチングすることによって記録材料の基板上にパターンを形成する近接場光露光方法において、前記近接場光を発生させる複雑なパターンを、1方向に並んだスリットパターン毎に分割し、前記分割したスリットパターン毎に最適露光条件により多重露光を行うことを特徴とするマスク多重露光による近接場光露光方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521
FI (5)：
G03F 1/08 Z ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 D ,  H01L 21/30 502 C ,  H01L 21/30 573
F-Term (9)：
2H095BA04 ,  2H095BA05 ,  2H095BB02 ,  2H095BB31 ,  2H095BC02 ,  5F046AA13 ,  5F046BA10 ,  5F046CB27 ,  5F046NA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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