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J-GLOBAL ID：200903075104040000

プラズマ処理装置

Inventor： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  石井 信雄
Applicant, Patent owner： 後藤 俊夫 ,  堀 勝 ,  東京エレクトロン株式会社
Agent (5)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  吉井 一男 ,  西山 雅也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003155664
Publication number (International publication number)：2004356587
Application date： May. 30, 2003
Publication date： Dec. 16, 2004
Summary：

【課題】より均一なプラズマ処理を可能にするプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】プラズマ処理室内に、被処理体保持手段と対向させて、プラズマを発生させるためのパッチアンテナを配置し、且つ、該被処理体保持手段とパッチアンテナとの間に、ガス拡散用のシャワープレートを配置する。【選択図】 図5

Claim (excerpt)：

被処理体にプラズマ処理を行うためのプラズマ処理室と、 前記被処理体を、前記プラズマ処理室内に配置するための被処理体保持手段と、 該被処理体保持手段と対向してプラズマ処理室内に配置された、プラズマ処理室内にプラズマを発生させるためのパッチアンテナと、 前記被処理体保持手段とパッチアンテナとの間に配置された、ガス拡散用のシャワープレートとを少なくとも含むことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L21/31 ,  B01J19/08 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

FI (5)：

H01L21/31 C ,  B01J19/08 E ,  H05H1/46 B ,  H05H1/46 L ,  H01L21/302 101D

F-Term (22)：

4G075AA24 ,  4G075AA30 ,  4G075BC02 ,  4G075BC04 ,  4G075BC06 ,  4G075CA24 ,  4G075CA47 ,  4G075EB01 ,  4G075EC30 ,  4G075ED01 ,  5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F045AA08 ,  5F045EF05 ,  5F045EH02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• プラズマ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-384956   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-147672   Applicant：株式会社日立製作所
• 成膜装置および成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-168437   Applicant：株式会社ジーティシー
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-197525   Applicant：新日本製鐵株式会社