窒化ガリウム系化合物半導体素子

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998071294
Publication number (International publication number)：1999251633
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】n型窒化ガリウム系化合物半導体の層のエッチングによる上部露出面の面積は小さいほど、活性層の発光面積を広く取ることができるため、高光度を実現する上で望ましが、「(n型窒化ガリウム系化合物半導体層の上部露出面の面積)>(負電極の上部露出面の面積)≧(バンプ形成に必要な面積)」なる制約があるため、活性層の発光面積を十分には広く取ることができない。【解決手段】下層側に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面または側壁面より、n型窒化ガリウム系化合物半導体の層より上側に形成された各層の各側壁面を経て、p型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面またはp型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に形成された正電極の上部露出面にまで渡って絶縁性保護膜を形成し、n型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面より、この絶縁性保護膜上に渡って負電極を形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に窒化ガリウム系化合物半導体から成る層が積層されたフリップチップ型の発光素子において、下層側に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体の層のエッチングによる上部露出面または前記n型窒化ガリウム系化合物半導体の層のエッチングによる側壁面より、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体の層より上側に形成された各層の各側壁面を経て、p型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面または前記p型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上に形成された正電極の上部露出面にまで渡って形成された絶縁性保護膜と、前記n型窒化ガリウム系化合物半導体の層の上部露出面より、前記絶縁性保護膜上に渡って形成された負電極とを有することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

発光素子と発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-284073 Applicant：三洋電機株式会社
特開昭60-253286
3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-338114 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩

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