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J-GLOBAL ID:200903075194157989
半導体装置及びその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
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Agent (1):
後藤 洋介 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000304708
Publication number (International publication number):2002110726
Application date: Oct. 04, 2000
Publication date: Apr. 12, 2002
Summary:
【要約】【課題】 半導体チップのフリップチップ実装において、実装時や実使用時の高温環境や、温度サイクル環境で拡散によって軟質の接合材料から金属間化合物層へ変化するような構造変化をなくし、かつ拡散によって生じる偏析等の欠陥による信頼性の低下を防止しする。【解決手段】 半導体チップ1上の電極2と基板4上の電極2とが相互に対向するように電気的に接続された半導体装置であって、半導体チップ1上の電極2と基板4上の電極2とは、所望の電極材料と接合材料3とにより形成された金属化合物層5を介して接合されている。
Claim (excerpt):
半導体チップ上の第1の電極と基板上の第2の電極とが相互に対向するように電気的に接続された半導体装置において、上記第1の電極と上記第2の電極とは、所望の電極材料と前記第1および第2の電極の少なくとも一方に供給された接合材料とにより形成された金属間化合物層を介して接合されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2):
H01L 21/60
, H01L 21/60 311
FI (6):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/92 602 D
, H01L 21/92 602 G
, H01L 21/92 602 R
, H01L 21/92 603 A
, H01L 21/92 604 A
F-Term (10):
5F044KK01
, 5F044KK05
, 5F044KK17
, 5F044KK18
, 5F044KK19
, 5F044LL05
, 5F044QQ02
, 5F044QQ03
, 5F044QQ04
, 5F044RR02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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特開昭59-218744
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-259712
Applicant:ローム株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-039558
Applicant:三洋電機株式会社
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はんだ突起電極の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-275726
Applicant:ソニー株式会社
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回路基板の接続方法およびこれを用いた電子回路装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-092192
Applicant:株式会社日立製作所
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