半導体記憶装置及びその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994116394
Publication number (International publication number)：1995326681
Application date： May. 30, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】半導体の不揮発性記憶素子において、その書込み消去の動作の低電圧化と低消費電力化、更にこの動作の回数の増加を実現し、フラッシュメモリのような不揮発性の半導体記憶装置の性能向上を図る。【構成】MIS型の半導体不揮発性記憶素子において、第1絶縁膜3と第2絶縁膜4の2層の絶縁膜で形成したゲート絶縁膜の中、前記第2絶縁膜4を高誘電率膜で形成するとともに、この高誘電率膜の組成を連続的あるいは不連続的に変え、あるいは前記第1絶縁膜と第2絶縁膜との間にシリコン微粒子を形成する。

Claim (excerpt)：

MIS(金属-絶縁体-半導体)構造のトランジスタにおいて、半導体基板の主面に第1絶縁膜が形成され、前記第1絶縁膜に積層して第2絶縁膜が形成され、前記第1絶縁膜と第2絶縁膜との2層絶縁膜でMIS構造トランジスタのゲート絶縁膜が構成され、前記第1絶縁膜の膜厚及び比誘電率をt1 ,ε1 とし、前記第2絶縁膜の膜厚及び比誘電率をt2 ,ε2 として、ε2 /ε1 が50≦ε2 /ε1 の関係とt2 /t1 ≦ε2 /ε1 の関係とを満足することを特徴とした半導体記憶装置。

IPC (4)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/78 371 , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体記憶素子およびその製法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-282888 Applicant：ローム株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-184890 Applicant：沖電気工業株式会社
半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149519 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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