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J-GLOBAL ID：200903075309295060

光半導体装置

Inventor： 荒井 昌和 ,  近藤 康洋 ,  依田 真一 ,  木下 恭一
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社 ,  独立行政法人 宇宙航空研究開発機構
Agent (3)： 光石 俊郎 ,  田中 康幸 ,  松元 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008108435
Publication number (International publication number)：2009260093
Application date： Apr. 18, 2008
Publication date： Nov. 05, 2009
Summary：

【課題】3元混晶の半導体結晶InGaAsからなる基板に、選択酸化狭窄構造を導入した光半導体装置を提供する。【解決手段】In組成比xが低い3元混晶の半導体結晶InxGa1-xAsからなる基板11と、基板11に低温で結晶成長された、InGaAs歪量子井戸構造からなる活性層13と、活性層13上に結晶成長されたAlAs層14とを有し、AlAs14の一部を選択的に酸化して、選択酸化層14’を形成し、選択酸化狭窄構造とした光半導体装置。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

In組成比xが低い3元混晶の半導体結晶InxGa1-xAsからなる基板と、 前記基板に低温で結晶成長された、InGaAs歪量子井戸構造からなる活性層と、 前記活性層上に結晶成長された、Alを含む半導体からなるAl含有半導体層とを有し、 前記Al含有半導体層の一部を選択的に酸化して、選択酸化狭窄構造としたことを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S 5/183 ,  H01S 5/227

FI (2)：

H01S5/183 ,  H01S5/227

F-Term (17)：

5F173AA26 ,  5F173AC03 ,  5F173AC13 ,  5F173AC35 ,  5F173AC42 ,  5F173AF04 ,  5F173AF05 ,  5F173AF13 ,  5F173AF15 ,  5F173AG12 ,  5F173AH28 ,  5F173AP05 ,  5F173AP32 ,  5F173AP33 ,  5F173AP67 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR99

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-247030   Applicant：日本電信電話株式会社

Cited by examiner (4)

• 面発光レーザおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-069066   Applicant：富士通株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-247030   Applicant：日本電信電話株式会社
• 面発光レーザ素子、面発光レーザ素子を用いたトランシーバ、光送受信器および光通信システム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-104392   Applicant：古河電気工業株式会社
• 面発光半導体レーザ装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-009003   Applicant：富士通株式会社