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J-GLOBAL ID:200903075365042590

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004046285
Publication number (International publication number):2005234449
Application date: Feb. 23, 2004
Publication date: Sep. 02, 2005
Summary:
【課題】 遠紫外光、とくにArFエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケーション本来の性能向上のための技術における課題を解決したポジ型レジスト組成物、より具体的には、パターンプロファイル等を劣化させることなく、PEB温度依存性、露光マージン、プロセスマージンなどの諸性能に優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)特定の(メタ)アクリル酸エステル繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt):
(A)式(a)で表される繰り返し単位と、式(b)で表される繰り返し単位、式(c)で表される繰り返し単位及び式(d)で表される繰り返し単位から選ばれる少なくとも1つの繰り返し単位とを含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、及び、 (B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物 を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2):
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2):
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (13):
2H025AA00 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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