プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：井上俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000357592
Publication number (International publication number)：2001223171
Application date： Nov. 24, 2000
Publication date： Aug. 17, 2001
Summary：

【要約】【課題】マイクロ波を平面状のアンテナから誘電体よりなるマイクロ波透過窓を通じて真空容器内に導入し、処理ガスをプラズマ化して半導体ウエハに対して成膜やエッチングなどの処理を行うにあたり、アンテナとプラズマとの間の領域にて定在波の発生を抑えること。【解決手段】アンテナから透過窓に至るまでの領域を囲むように誘電損失あるいは磁気損失の大きい電磁波吸収体を設け、マイクロ波の反射を抑えることにより定在波の発生を抑制する。また前記窓の中に複数のリング状の導電体を同心円状に設け、各リングの径方向の間隔をマイクロ波の波長λに対しておよそ1/2λ〜λとし、縦方向のマイクロ波は通るが、横波が立たないようにする。あるいは窓の下のシース領域に円形状の導電体及びリング上の導電体を同心円状に設けてもよく、この場合これら導電体をガス供給部として構成しても良い。

Claim (excerpt)：

高周波電源部から平面状のアンテナ及び高周波透過窓を通じて真空容器内にプラズマ生成用の高周波を供給し、真空容器内に供給された処理ガスを高周波のエネルギ-によってプラズマ化し、そのプラズマにより、真空容器内の載置台に載置された基板に対して処理を行うプラズマ処理装置において、前記高周波透過窓の真空雰囲気側の面からアンテナに至るまでの領域の側周部を囲むように電磁波吸収体を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/205 , B01J 19/08 , H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/205 , B01J 19/08 E , H05H 1/46 B , H05H 1/46 M , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

プラズマ励起化学気相成長装置及びプラズマエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-132304 Applicant：シャープ株式会社
プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336474 Applicant：松下電器産業株式会社
プラズマ誘導マイクロ波エネルギーによってプラズマを発生するための装置
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平8-521819 Applicant：デポジション・サイエンシス,インコーポレイテッド

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