プラズマ励起化学気相成長装置及びプラズマエッチング装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996132304
Publication number (International publication number)：1997320966
Application date： May. 27, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】プラズマ励起用の高周波電力として、従来のRF帯(13.56MHz)より高いVHF帯からUHF帯のものを用いるプラズマCVD装置において、反応室の、少なくとも一対の電極の対向面と平行な方向の寸法が上記高周波電力の波長と同じオーダーの数十cm〜数m程度となっても、プラズマを所望のカソード電極とアノード電極との間で生成させるようにする。【解決手段】本来プラズマが生成してほしいカソード電極101aとアノード電極4との間の空間を網目状導電性隔壁10によって分割することにより、導液管により近似されるカソード電極とアノード電極との間の空間のインダクタンスLを小さくした。

Claim (excerpt)：

成膜用ガスが供給され、被処理部材に対して成膜処理を施すための反応室と、該反応室内に相対向するよう配置され、プラズマを励起するための高周波電界を発生する少なくとも一対の電極と、該一対の電極間に印加する、ラジオ波帯より高いVHF帯あるいはUHF帯の高周波電力を発生する電源と、該一対の電極間の空間を複数の領域に分割する遮蔽手段とを備えたプラズマ励起化学気相成長装置。

IPC (6)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

高周波プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-141932 Applicant：シチズン時計株式会社
成膜装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-267596 Applicant：キヤノン株式会社
プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-152337 Applicant：三菱重工業株式会社

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