光転写用複製マスク及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡邉勇 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998136149
Publication number (International publication number)：1999316452
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】安価な使い捨ても可能な量産用の、光の波長以下の微細な線幅の二次元的なパターンを備えた光転写用複製マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】エバネッセント場を利用した光露光に用いる光転写用複製マスクであって、光透過性の材料13に光の波長より小さいサイズの近接場露光パターン12aを備え、該近接場露光パターン12aは母型11に固定された近接場露光パターン12を転写して形成した。

Claim (excerpt)：

エバネッセント場を利用した光露光に用いる光転写用複製マスクであって、光透過性の材料に光の波長より小さいサイズの近接場露光パターンを備え、該近接場露光パターンは母型に固定された近接場露光パターンを転写して形成したことを特徴とする光転写用複製マスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 , G21K 5/02 , H01L 21/027

FI (3)：

G03F 1/08 A , G21K 5/02 Z , H01L 21/30 502 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

光露光または転写方法および装置またはそのためのマスク
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-319781 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭60-024016
特開昭61-268414

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