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J-GLOBAL ID：200903075762071083

窒化物系半導体素子

Inventor： 林 伸彦 ,  畑 雅幸
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000212131
Publication number (International publication number)：2002026464
Application date： Jul. 13, 2000
Publication date： Jan. 25, 2002
Summary：

【要約】【課題】 結晶性の良好な窒化物系半導体層を有する窒化物系半導体発光素子を提供する。【解決手段】 サファイア基板1と、前記サファイア基板1上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層4と、前記酸素含有層4上に位置する窒化物系半導体からなる第3バッファ層5とを備えたことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板上に位置するとともに酸素が含有された窒化物からなる酸素含有層と、前記酸素含有層上に位置する窒化物系半導体層とを備えたことを特徴とする窒化物系半導体素子。

IPC (4)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (4)：

H01S 5/343 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (45)：

4G077AA03 ,  4G077BE11 ,  4G077BE15 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CB11 ,  5F041FF16 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC15 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DB02 ,  5F045DB04 ,  5F045DB06 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 化合物半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-221816   Applicant：株式会社東芝
• 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-354318   Applicant：パイオニア株式会社
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-027522   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-039646   Applicant：株式会社東芝