パーティクル汚染の低減されたプラズマスパッタエッチングシステム

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池晃 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997500405
Publication number (International publication number)：1999506269
Application date： Oct. 18, 1995
Publication date： Jun. 02, 1999
Summary：

【要約】パーティクル汚染を低減して基板をスパッタエッチングするプラズマ処理システムは、処理スペース(19)を区画する内部表面(18)を有する処理チャンバ(10)を備える。電気素子(24)は、エネルギを処理スペース(19)に結合し、基板(20)のエッチングを行う。加熱装置(44)は反応装置に接続され、処理チャンバの内部表面(18)を制御して所定の温度に加熱する。温度制御回路(48)は、加熱装置(44)を制御し、プラズマが消滅したときに加熱装置(44)をオンにして処理チャンバ(10)を所定の温度に加熱する。この所定の温度は、プラズマが生成されているときの処理チャンバ(10)の温度に関連付けられており、処理前、処理中、処理後の内部表面が比較的一定の温度に維持され、スパッタリングされた物資が内部表面からはがれ落ちて処理スペース内に汚染パーティクルが発生することを防ぐ。

Claim (excerpt)：

スパッタリング処理される基板が設置される処理スペースを区画する内部表面を有するプラズマ処理チャンバと、プラズマ処理チャンバに接続され、電気エネルギを処理スペースの少なくとも一部分に誘導的に結合してそこにプラズマを作り出し基板をエッチングし、プラズマ処理が終了したとき処理スペースへの電気エネルギの供給を停止してプラズマを消滅させる電気素子と、反応器に接続され、処理チャンバの内部表面を所定の温度に加熱制御する加熱装置と、加熱装置に接続され、加熱装置の操作と温度を制御し、電気素子が処理チャンバへの電気エネルギを停止してプラズマが消滅しているとき、加熱装置をオンにして加熱装置が処理チャンバを加熱してプラズマが生成されているときの処理チャンバの温度に関係づけられた所定の温度に近い温度にし、プラズマ処理の処理中、処理前、処理後の所定の時間、チャンバの内部表面の温度が比較的一定の温度を保ち、内部表面のスパッタリングされた物質がはがれ落ちて処理スペースの中で汚染パーティクルが発生することを防止する温度制御回路と、を有し、スパッタエッチングされた基板の汚染を低減することを特徴とするパーティクル汚染を低減して基板をプラズマスパッタエッチングするプラズマ処理システム。

IPC (2)：

H01L 21/3065 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 B , H05H 1/46 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

処理装置及びそのクリーニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-256505 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平3-215687
特開平3-215687

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