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J-GLOBAL ID：200903075834819959

シリサイドの形成方法

Inventor： 角 ▲博▼文
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137900
Publication number (International publication number)：1997320987
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 シリサイド層を薄膜化して狭い幅の領域に形成すると、いわゆる細線効果が起きてチタンシリサイドが凝集を起こす。そのため、低いシート抵抗のチタンシリサイド層を形成することは困難であった。【解決手段】 シリコン基板11にシリコン層としてソース・ドレイン領域19,20を形成する工程と、ソース・ドレイン領域19,20上にシリコンと反応する金属膜21を形成する工程と、ソース・ドレイン領域19,20と金属膜21とを反応させてシリサイド層22,23を形成する工程とを備えたシリサイドの形成方法において、ソース・ドレイン領域19,20を形成した後で金属膜21を形成する工程の直前に、シリコン基板11に熱処理を施して吸着物質を除去するとともに、熱処理中にソース・ドレイン領域19,20の表面をスパッタエッチングして自然酸化膜を除去する。

Claim (excerpt)：

基板にシリコン層を形成する工程と、前記シリコン層上に、該シリコン層と反応する金属膜を形成する工程と、前記シリコン層と前記金属膜とを反応させてシリサイド層を形成する工程とを備えたシリサイドの形成方法において、前記シリコン層を形成した後で前記金属膜を形成する工程の直前に、前記基板に熱処理を施すとともに、該熱処理中に前記シリコン層の表面をスパッタエッチングすることを特徴とするシリサイドの形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-278728   Applicant：沖電気工業株式会社
• 窒化チタン成膜の前処理方法および窒化チタン膜の成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-069198   Applicant：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-235154   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-234804   Applicant：株式会社東芝