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J-GLOBAL ID：200903075990952731

薄膜トランジスタ基板およびその製造方法

Inventor：
市村 公二

About 市村 公二


Applicant, Patent owner：
大日本印刷株式会社

About 大日本印刷株式会社


Agent (1)： 志村 浩
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995273554
Publication number (International publication number)：1997090426
Application date： Sep. 27, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：
【要約】【課題】 反射型のアクティブマトリックス型液晶ディスプレイ装置に利用される薄膜トランジスタ基板を単純なプロセスで製造する。【解決手段】 基板10上に薄膜トランジスタ(20,30,40,51,52,61,62)を形成した後、感光性のポリイミド樹脂からなる絶縁層70を形成する。次にフォトマスクを用いた露光現象を行い、絶縁層70の一部にドレイン電極62に達する深さのコンタクトホール71を形成するとともに、絶縁層70の表面を粗くするための微細凹凸構造72を形成する。その上に導電層80を蒸着やスパッタリングにより形成し、反射型表示電極層を構成する。コンタクトホール形成工程と粗面加工工程とを、レジストを用いることなしに同時に実行できる。
Claim (excerpt)：
基板と、この基板上にマトリックス状に配列された多数の薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタ上に形成された絶縁層と、各薄膜トランジスタに対応して前記絶縁層上にそれぞれ形成された反射型表示電極層と、を備え、前記各反射型表示電極層が、それぞれ前記絶縁層に形成されたコンタクトホールを介して、対応する薄膜トランジスタのドレイン電極もしくはソース電極に接続されている薄膜トランジスタ基板において、前記絶縁層を感光性をもった絶縁性樹脂によって構成したことを特徴とする薄膜トランジスタ基板。
IPC (2)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786
FI (2)：
G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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