3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996299498
Publication number (International publication number)：1998125956
Application date： Oct. 22, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：

【要約】【課題】紫外線領域の光を発光する3族窒化物半導体発光素子の発光強度を向上させること。【解決手段】 3族窒化物半導体から成る紫及び紫外線領域の光を発光する発光層4を有する発光素子において、発光層4の上部に形成されるp-クラッド層5のAlGaN のアルミニウム組成率を8%以上30%以下とし、かつ、p-クラッド層5厚さを70nm以下にした。さらに、p-クラッド層5の上部に形成されるp-コンタクト層6を薄膜化すること、及び発光層4の下部に形成されるn-クラッド層3をAlGaN で形成すること、及び基板であるサファイア層1の裏面に反射膜10を取り付けることにより、紫及び紫外線領域の光の発光強度が向上した。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体から成る発光層と発光層の上に形成されるp-クラッド層とを有する発光素子において、前記p-クラッド層は厚さ70nm以下の0.08≦x1≦0.3であるマグネシウム(Mg)ドープAlx1Ga1-x1N から成ることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-190069 Applicant：豊田合成株式会社, 新技術事業団, 赤崎勇, 天野浩
特開昭59-018688
特開昭63-301573

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