Pat
J-GLOBAL ID：200903008826085696

3-5族化合物半導体の製造方法

Inventor：
家近 泰

About 家近 泰

, 
高田 朋幸

About 高田 朋幸

, 
小野 善伸

About 小野 善伸


Applicant, Patent owner：
住友化学工業株式会社

About 住友化学工業株式会社


Agent (1)： 久保山 隆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995261477
Publication number (International publication number)：1997107124
Application date： Oct. 09, 1995
Publication date： Apr. 22, 1997
Summary：
【要約】【課題】発光素子用の均一性に優れた3-5族化合物半導体を生産性高く製造する方法を提供する。【解決手段】有機金属気相成長法による積層構造を有する3-5族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される発光層が、該発光層よりバンドギャップの大きな2つの層により挟まれて配置されてなるものであり、該2つの層がそれぞれ同一又は異なる一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表されるものであり、該発光層の層厚が5Å以上500Å以下であり、かつ少なくとも該発光層を0.001気圧以上0.5気圧以下の圧力下で製造することを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法。
Claim (excerpt)：
有機金属気相成長法による積層構造を有する3-5族化合物半導体の製造方法において、該積層構造として、一般式In<SB>x </SB>Ga<SB>y </SB>Al<SB>z </SB>N(ただし、x+y+z=1、0<x≦1、0≦y<1、0≦z<1)で表される発光層が、該発光層よりバンドギャップの大きな2つの層により挟まれて配置されてなるものであり、該2つの層がそれぞれ同一又は異なる一般式In<SB>u </SB>Ga<SB>v </SB>Al<SB></SB><SB>w </SB>N(ただし、u+v+w=1、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1)で表されるものであり、該発光層の層厚が5Å以上500Å以下であり、かつ少なくとも該発光層を0.001気圧以上0.5気圧以下の圧力下で製造することを特徴とする発光素子用3-5族化合物半導体の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (10)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM