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J-GLOBAL ID：200903076358401777

突起電極を有する電子部品及び突起電極の形成方法並びに突 起電極を有する電子部品のボンディング方法

Inventor： 若林 猛 ,  阿部 昭彦
Applicant, Patent owner： カシオ計算機株式会社
Agent (1)： 杉村 次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997171210
Publication number (International publication number)：1998070127
Application date： Jul. 05, 1995
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：

【要約】【目的】 はんだからなる突起電極を特殊な構造とする。【構成】 突起電極は、高融点はんだ(例えば、Pb95%:Sn5%、融点310〜315°C程度)からなる柱状の突起電極本体29と、この突起電極本体29の表面全体に形成された低融点はんだ(例えば、Pb37%:Sn63%、融点180〜185°C程度)からなる突起電極表面層30aとからなり、全体の形状がほぼ球状となっている。この場合、突起電極本体29は、はんだよりも融点の高いAu、Cu、Ni等の金属によって形成してもよい。

Claim (excerpt)：

突起電極を有する電子部品において、前記突起電極を、高融点はんだからなる突起電極本体と、該突起電極本体の表面全体に形成された低融点はんだからなる突起電極表面層とによって構成したことを特徴とする突起電極を有する電子部品。

IPC (2)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (5)：

H01L 21/92 602 B ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/92 602 E ,  H01L 21/92 604 B ,  H01L 21/92 604 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平3-222334
  
• 半田バンプの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143873   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置における微細電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-118585   Applicant：日本電装株式会社
• 特開平2-114644
  
• シリコン基板ビアホール形成方法およびマルチチツプモジユール製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-305103   Applicant：富士通株式会社
• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-110498   Applicant：株式会社島津製作所