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J-GLOBAL ID：200903076419170064

半導体レーザ素子

Inventor：
早川 利郎

About 早川 利郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000091435
Publication number (International publication number)：2001284720
Application date： Mar. 29, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：
【要約】【課題】 端面窓構造を備えた半導体レーザ素子において、信頼性を向上させる。【解決手段】 n-GaAs基板11上にn-GaAsバッファ層12、n-AlxGa1-xAsグレーデッドバッファ層13、n-Al0.63Ga0.37Asクラッド層14、n-In0.48Ga0.52P光ガイド層15、AlGaAsエッチンク ゙停止層16、In0.48Ga0.52P光ガイド層17、In0.13Ga0.87As0.75P0.25量子井戸層18、In0.48Ga0.52P光ガイド層19、AlGaAs電子障壁層20、p-In0.48Ga0.52P光ガイド層21を順次成長させる。次に端面近傍(a)を除去し、p-In0.48Ga0.52P光ガイド層22、p-Al0.63Ga0.37Asクラッド層23、p-GaAsキャップ層24を順次積層する。端面近傍のp-GaAsキャップ層24を選択的に除去する。50μm幅のリッシ ゙構造を形成するため、p-GaAsキャップ層37およびp-Al0.63Ga0.37Asクラッド層33をエッチングして、2本の溝の間にリッジストライプを形成する。リッジストライプ上に窓あけを行い、p側電極26(Ti/Pt/Ti/Pt/Au)、n側電極27(AuGe/Ni/Au)を形成する。
Claim (excerpt)：
基板上に、量子井戸活性層の上部および下部に光ガイド層を備えた活性領域が形成されており、光軸方向に垂直な端面近傍が前記下部光ガイド層の深さ方向の途中までエッチングにより除去されており、前記活性領域の上全体に、発振光のエネルギーより禁制帯幅が大きい半導体が再成長されている半導体レーザ素子において、前記下部光ガイド層内に、前記エッチングを前記下部光ガイド層の深さ方向の途中で選択的に停止させるエッチング停止層が形成されており、かつ、前記上部光ガイド層内に、該上部光ガイド層の禁制帯幅より大きい半導体からなる電子障壁層が形成されていることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (3)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343
FI (3)：
H01S 5/16 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/343
F-Term (14)：
5F073AA11 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA53 ,  5F073AA73 ,  5F073AA88 ,  5F073CA13 ,  5F073CB07 ,  5F073CB08 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA23 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
  • 半導体レーザの製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-269241   Applicant：沖電気工業株式会社
  • 半導体レーザ装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-115182   Applicant：三洋電機株式会社
  • 半導体レーザ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-288402   Applicant：沖電気工業株式会社
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