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J-GLOBAL ID：200903076443678931

半導体装置における拡散障壁層の形成方法、半導体装置

Inventor： シー-チュン ソン
Applicant, Patent owner： プロモス テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002063102
Publication number (International publication number)：2003273348
Application date： Mar. 08, 2002
Publication date： Sep. 26, 2003
Summary：

【要約】【課題】 ドーピングされた硼素がゲート電極からチャネル領域へ拡散することを防止する方法及び半導体装置を提供する。【解決手段】 ゲート電極層と高誘電係数のゲート誘電層の間に、テトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、ゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する。

Claim (excerpt)：

基板に高誘電係数のゲート誘電層を形成する段階と、前記ゲート誘電層に、CVD法を利用し且つテトラクロロシランとアンモニアとの化学反応で、後続に形成されるゲート電極層内不純物の拡散を阻止するための窒化シリコン障壁層を形成する段階とからなる半導体装置における拡散障壁層の形成方法。

IPC (6)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (4)：

H01L 21/318 M ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/08 321 D ,  H01L 29/58 G

F-Term (46)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104GG09 ,  4M104HH20 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BE03 ,  5F048BG14 ,  5F058BA05 ,  5F058BD02 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA28 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG38 ,  5F140BG43 ,  5F140BG44 ,  5F140BG56 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB08 ,  5F140CF07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-160936   Applicant：富士通株式会社
• Si(111)上にゲ-ト誘電体用の極薄結晶質シリコン窒化物を生成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-074728   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
• 成膜方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-282013   Applicant：東京エレクトロン株式会社, 株式会社東芝, 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-236792   Applicant：松下電子工業株式会社