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J-GLOBAL ID：200903076450341616

超微結晶磁性膜からなる電波吸収体

Inventor： 島田 寛 ,  北上 修 ,  加藤 和照 ,  李 衛東
Applicant, Patent owner： 三井金属鉱業株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995338404
Publication number (International publication number)：1997181476
Application date： Dec. 26, 1995
Publication date： Jul. 11, 1997
Summary：

【要約】【課題】 高周波領域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を提供する。【解決手段】 セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であって、セラミックス相がO,N,Cのうちの少なくとも1つとこれらに対する親和性が強磁性超微結晶相を構成する元素Fe,Coよりも高い少なくとも2つのセラミックス相構成元素B,Al,Si,Zr,Hf,Gd,Smとを含んで構成されており、10MHz〜10GHzの領域内の周波数において透磁率実数成分の値0.1以下且つ透磁率虚数成分/透磁率実数成分の値5以上且つ電気抵抗率500[μΩcm]以上を実現できる様にした。セラミックス相構成元素を複数用いることで、高周波領域における電波吸収特性に優れた超微結晶磁性膜からなる電波吸収体を比較的低い温度下で製造できる。

Claim (excerpt)：

セラミックス相と強磁性超微結晶相とを含んでなる超微結晶磁性膜からなる電波吸収体であって、前記セラミックス相が酸素、窒素及び炭素のうちの少なくとも1つとこれらに対する親和性が前記強磁性超微結晶相を構成する元素よりも高いセラミックス相構成元素とを含んで構成されていることを特徴とする、電波吸収体。

IPC (5)：

H05K 9/00 ,  C23C 14/06 ,  H01F 10/16 ,  C23C 14/35 ,  C23C 14/58

FI (5)：

H05K 9/00 M ,  C23C 14/06 T ,  H01F 10/16 ,  C23C 14/35 Z ,  C23C 14/58 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 一軸磁気異方性薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224439   Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 磁性薄膜及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-224438   Applicant：株式会社アモルファス・電子デバイス研究所
• 磁性薄膜の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-143299   Applicant：新技術事業団, 坂田勘治, 輪島尚人