半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：布施行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064200
Publication number (International publication number)：1999251331
Application date： Feb. 27, 1998
Publication date： Sep. 17, 1999
Summary：

【要約】【課題】技術的に高度な微細加工技術などを必要とせず、比較的簡易なプロセス技術によって得られる、低オン電圧化並びに高電流増幅率を達成することができる半導体装置を提供することにある。【解決手段】半導体装置は、npnトランジスタおよびpnpトランジスタの少なくとも一方のトランジスタ構造を含み、バイポーラ動作が素子内部の全体あるいは一部で行なわれ、ドレイン領域、コレクタ領域あるいはアノード領域として機能する半導体層の一部に、電流経路に対して交差する方向に絶縁層が形成されている。npnバイポーラトランジスタ100は、n+型コレクタ領域10の一方の主面上にn-型ドリフト領域12が形成され、このn-型ドリフト領域12の表面にはp型ベース領域14が形成されている。このp型ベース領域14の表面部にはn+型エミッタ領域16が形成されている。そして、コレクタ領域10の内部には、該コレクタ領域10の主面の方向と同じ方向に絶縁層11が形成されている。

Claim (excerpt)：

npnトランジスタおよびpnpトランジスタの少なくとも一方のトランジスタ構造を含み、バイポーラ動作が素子内部の全体あるいは一部で行なわれる半導体装置において、ドレイン領域、コレクタ領域あるいはアノード領域として機能する半導体層の一部に絶縁層が形成されている半導体装置。

IPC (7)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 29/74 , H01L 29/744 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/80

FI (7)：

H01L 29/72 , H01L 29/74 N , H01L 29/74 C , H01L 29/74 M , H01L 29/78 655 C , H01L 29/78 658 K , H01L 29/80 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

バイポーラ形静電誘導トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-312075 Applicant：日産自動車株式会社
特開平2-246220
特開平3-126264

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