Pat

J-GLOBAL ID：200903076471574696

誘電体膜の形成方法

Inventor： 桐生 秀樹 ,  青山 真太郎 ,  高橋 毅 ,  神力 博
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095818
Publication number (International publication number)：2001284344
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】 薄い絶縁物の分子層で覆われたSi基板表面にCVD法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。【解決手段】 前記絶縁物の分子層に、前記誘電体膜を構成する金属元素の気相分子化合物を一様に吸着させ、これを酸化させて誘電体分子層を形成した後、前記誘電体膜のCVDプロセスを開始する。

Claim (excerpt)：

Si基板上への誘電体膜の形成方法において、前記Si基板の表面を露出する工程と、前記露出されたSi基板表面に、絶縁性層を形成する工程と、前記絶縁性層を形成されたSi基板表面に、少なくとも1回、誘電体材料を構成する金属元素の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Si基板表面を前記気相分子化合物により覆う工程と、前記Si基板表面を覆う前記気相分子化合物を加水分解させ、前記Si基板表面に前記金属元素を含む誘電体材料の分子層を形成する工程とを含むことを特徴とする誘電体膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 B ,  C23C 16/40 ,  H01L 29/78 301 G

F-Term (33)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030BA10 ,  4K030BA17 ,  4K030BA22 ,  4K030BA29 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA02 ,  5F040DA01 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040EF02 ,  5F040FA03 ,  5F058BA20 ,  5F058BC20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF80 ,  5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平2-283022
  
• 特開平2-196427
  
• 化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-236247   Applicant：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-274674   Applicant：大見忠弘
• 薄膜形成方法、シリコン薄膜及びシリコン薄膜トランジスタの形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-023986   Applicant：富士通株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-041160   Applicant：日本電気株式会社