誘電体膜の形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊東忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000095818
Publication number (International publication number)：2001284344
Application date： Mar. 30, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】薄い絶縁物の分子層で覆われたSi基板表面にCVD法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。【解決手段】前記絶縁物の分子層に、前記誘電体膜を構成する金属元素の気相分子化合物を一様に吸着させ、これを酸化させて誘電体分子層を形成した後、前記誘電体膜のCVDプロセスを開始する。

Claim (excerpt)：

Si基板上への誘電体膜の形成方法において、前記Si基板の表面を露出する工程と、前記露出されたSi基板表面に、絶縁性層を形成する工程と、前記絶縁性層を形成されたSi基板表面に、少なくとも1回、誘電体材料を構成する金属元素の気相分子化合物を実質的に一様に吸着させ、前記Si基板表面を前記気相分子化合物により覆う工程と、前記Si基板表面を覆う前記気相分子化合物を加水分解させ、前記Si基板表面に前記金属元素を含む誘電体材料の分子層を形成する工程とを含むことを特徴とする誘電体膜の形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/316 , C23C 16/40 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/316 B , C23C 16/40 , H01L 29/78 301 G

F-Term (33)：

4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA11 , 4K030BA10 , 4K030BA17 , 4K030BA22 , 4K030BA29 , 4K030BA42 , 4K030BA43 , 4K030BB13 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA01 , 4K030LA02 , 5F040DA01 , 5F040DC01 , 5F040EC07 , 5F040ED01 , 5F040ED03 , 5F040EF02 , 5F040FA03 , 5F058BA20 , 5F058BC20 , 5F058BD02 , 5F058BD04 , 5F058BD10 , 5F058BF04 , 5F058BF27 , 5F058BF29 , 5F058BF30 , 5F058BF80 , 5F058BJ01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特開平2-283022
特開平2-196427
化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社

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Cited by examiner (6)

特開平2-283022
特開平2-196427
化学的気相成長法及び化学的気相成長装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-236247 Applicant：日産自動車株式会社

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