電界効果トランジスタ及びその製造方法、並びに有機半導体材料

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：真田有
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005065714
Publication number (International publication number)：2006253305
Application date： Mar. 09, 2005
Publication date： Sep. 21, 2006
Summary：

【課題】製造の容易な有機系の材料からなるn型半導体部を備え、移動度及びオン/オフ比に優れたFETを提供する。【解決手段】少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及びn型有機半導体部を備えるFETにおいて、該n型有機半導体部が、下記式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

少なくともソース電極、ドレイン電極、ゲート電極、及びn型有機半導体部を備える電界効果トランジスタにおいて、該n型有機半導体部が、下記式(1)で示される繰り返し単位を有する高分子化合物を含有することを特徴とする、電界効果トランジスタ。

IPC (4)：

H01L 51/05 , C08G 61/00 , H01L 29/786 , H01L 29/80

FI (4)：

H01L29/28 , C08G61/00 , H01L29/78 618B , H01L29/80 V

F-Term (56)：

4J032BA15 , 4J032BB01 , 4J032BB03 , 4J032BC01 , 4J032BD05 , 4J032CG01 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GC08 , 5F102GD01 , 5F102GL01 , 5F102GS09 , 5F102GS10 , 5F102GT02 , 5F110AA01 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110GG05 , 5F110GG42 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK08 , 5F110HK09 , 5F110HK10 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開昭61-202469号公報
特許第2984370号明細書
高分子材料を用いた光電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-141363 Applicant：東京工業大学長, 住友化学工業株式会社

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Cited by examiner (5)

高分子材料を用いた光電子素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-141363 Applicant：東京工業大学長, 住友化学工業株式会社
電子デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-031268 Applicant：東京工業大学長, 三菱化学株式会社
化合物、並びに該化合物を用いた光デバイス、電子デバイス、エレクトロルミネッセンス素子、トランジスタ、表示デバイス、及び表示装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-180248 Applicant：日本放送協会