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J-GLOBAL ID：200903076723684325

液晶表示装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平 ,  前川 慎志 ,  藤井 厳 ,  桑原 秀明
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004329505
Publication number (International publication number)：2005165309
Application date： Nov. 12, 2004
Publication date： Jun. 23, 2005
Summary：

【課題】 基板が大型化すればするほど、成膜とエッチングとを繰り返すことによる製造プロセス時間の延長、エッチング溶液などの廃棄物の処理コスト増大、材料利用効率の低下が顕著になっている。【解決手段】本発明は、液滴吐出法による材料層と密着性を向上させるための下地膜を形成し、フォトマスクを用いることなく、液晶表示装置を作製するために必要なパターンのうち、材料層のパターン、代表的には、配線(または電極)パターン、絶縁層パターン、または所定のパターンを形成するためのマスクパターンを形成する工程を少なくとも1つ、もしくはそれ以上含むものとする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

下地前処理を行った領域に、液滴吐出法により形成されたゲート電極を有する薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタのドレイン電極上に液滴吐出法により形成された柱状の導電膜と、 前記柱状の導電膜に接続された画素電極とを有することを特徴とする液晶表示装置。

IPC (7)：

G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L29/786

FI (8)：

G02F1/1368 ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/288 Z ,  H01L29/78 612C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616S ,  H01L21/88 B ,  H01L21/90 B

F-Term (137)：

2H092JA24 ,  2H092JA36 ,  2H092JA37 ,  2H092JB16 ,  2H092JB24 ,  2H092KA05 ,  2H092KA15 ,  2H092KB01 ,  2H092KB11 ,  2H092MA10 ,  2H092NA27 ,  2H092NA29 ,  4M104AA01 ,  4M104AA08 ,  4M104AA09 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD51 ,  4M104DD79 ,  4M104DD80 ,  4M104DD81 ,  4M104GG20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH38 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK19 ,  5F033NN19 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ31 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ82 ,  5F033QQ83 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR22 ,  5F033SS22 ,  5F033VV06 ,  5F033VV15 ,  5F033XX33 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK15 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK35 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL14 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110HM18 ,  5F110NN03 ,  5F110NN12 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ10 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 特開平4-220625
  
• 表示装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-055827   Applicant：シャープ株式会社
• パターン形成方法、半導体デバイス、電気回路、表示体モジュール、カラーフィルタおよび発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-317281   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子装置の製造方法、及び電子機器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-398537   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 製膜方法及びデバイス及び電子機器並びにデバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-119445   Applicant：セイコーエプソン株式会社