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J-GLOBAL ID：200903037907335816

分子膜パターンの形成方法、分子膜パターン、半導体装置の製造方法、半導体装置、電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子装置の製造方法、及び電子機器

Inventor：
石田 方哉

About 石田 方哉

, 
宮澤 貴士

About 宮澤 貴士


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001398537
Publication number (International publication number)：2002311592
Application date： Dec. 27, 2001
Publication date： Oct. 23, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】基板上に形成された各種の官能基を有する分子膜においては、紫外光を用いて簡便なパターンニングは可能であるが、さらに短時間でのパターンニングが望まれていた。【解決手段】基板表面に、膜厚が3nm以下で、分子構造の一部として下記式(1)で示される化学構造を有する有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする分子膜パターンの形成方法。Ar:2価の芳香族基を表わす。
Claim (excerpt)：
芳香族炭化水素部を含み、光分解性を示す有機ケイ素化合物を原料とする分子膜を形成する工程と、該分子膜に対する光照射を行う工程と、を含むこと、を特徴とする分子膜パターンの形成方法。
IPC (10)：
G03F 7/075 511 ,  C08G 77/04 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1362 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/00 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (10)：
G03F 7/075 511 ,  C08G 77/04 ,  G02F 1/1333 505 ,  G02F 1/1362 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 29/28 ,  H01L 29/78 618 Z ,  H01L 29/78 618 B
F-Term (60)：
2H025AA01 ,  2H025AB16 ,  2H025AC01 ,  2H025AD03 ,  2H025BF30 ,  2H090HA01 ,  2H090HA06 ,  2H090HB13X ,  2H090HC01 ,  2H090HC05 ,  2H090HC11 ,  2H090HC14 ,  2H090HD01 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090JB04 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB56 ,  2H092KB25 ,  2H092MA02 ,  2H092MA10 ,  2H092MA12 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01 ,  4J035BA11 ,  4J035CA01N ,  4J035CA152 ,  4J035CA162 ,  4J035CA192 ,  4J035LB16 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110EE41 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG41 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK31 ,  5F110HL02 ,  5F110NN02 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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