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J-GLOBAL ID：200903076742319069

半導体レーザー装置

Inventor：
蔵町 照彦

About 蔵町 照彦


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999295260
Publication number (International publication number)：2001119096
Application date： Oct. 18, 1999
Publication date： Apr. 27, 2001
Summary：
【要約】【課題】 半導体レーザー装置の発振光が通過する素子端面に形成する誘電体膜の屈折率および膜厚の変化に対する該端面の反射率変化量を小さく抑えて、この反射率を正確に所望値に設定する。【解決手段】 発振光が通過する少なくとも一方の素子端面15に、該端面15の反射率を制御する誘電体膜が形成されてなる半導体レーザー装置において、前記誘電体膜として、端面15側から順にAl2 O3 からなる第1誘電体膜21、TiO2 またはTa2 O5 からなる第2誘電体膜22、およびSiO2 からなる第3誘電体膜23の3層を形成する。そして発振波長をλとし、この波長λに対する第1誘電体膜21、第2誘電体膜22および第3誘電体膜23の屈折率をそれぞれn1 、n2およびn3 とし、第1誘電体膜21、第2誘電体膜22および第3誘電体膜23の膜厚をそれぞれd1 、d2 、d3 としたとき、0.09λ≦n1 d1 ≦0.15λ、0.20λ≦n2 d2 ≦0.22λ、0.225λ≦n3 d3 ≦0.245λとする。
Claim (excerpt)：
発振光が通過する少なくとも一方の素子端面に、該端面の反射率を制御する誘電体膜が形成されてなる半導体レーザー装置において、前記誘電体膜として、前記端面側から順に各々発振光に対して透明な第1誘電体膜、第2誘電体膜、および第3誘電体膜の3層が形成されており、発振波長をλとし、この波長λに対する前記第1誘電体膜、第2誘電体膜および第3誘電体膜の屈折率をそれぞれn1 、n2 およびn3 とし、前記第1誘電体膜、第2誘電体膜および第3誘電体膜の膜厚をそれぞれd1 、d2 およびd3 としたとき、0.09λ≦n1 d1 ≦0.15λ0.20λ≦n2 d2 ≦0.22λ0.225λ≦n3 d3 ≦0.245λ1.58≦n1 ≦1.642.0≦n2 ≦2.41.44≦n3 ≦1.46の関係が満たされていることを特徴とする半導体レーザー装置。
F-Term (3)：
5F073AA83 ,  5F073CB20 ,  5F073DA33
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 半導体レーザ装置およびその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-268719   Applicant：松下電子工業株式会社
  • 半導体レーザー
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-190669   Applicant：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社
  • 特開平3-011781
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