半導体装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山川政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000139760
Publication number (International publication number)：2001326232
Application date： May. 12, 2000
Publication date： Nov. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】従来のGaN系デバイスよりも高温動作特性・高耐圧動作特性を向上させる。【解決手段】半導体基板と、この半導体基板上に形成された窒化物半導体のバッファ層と、このバッファ層よりも上層に形成された窒化物半導体のチャネル層とを備える。前記チャネル層は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0<X<1)によって形成されている。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、この半導体基板上に形成された窒化物半導体のバッファ層と、このバッファ層よりも上層に形成された窒化物半導体のチャネル層とを備え、前記チャネル層は、Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<X<1)によって形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

F-Term (12)：

5F102FA00 , 5F102FA04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

MIS型電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-330777 Applicant：古河電気工業株式会社
電界効果トランジスタ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-103002 Applicant：古河電気工業株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-005011 Applicant：松下電子工業株式会社

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