フォトマスクパターン設計方法および設計システム

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994219786
Publication number (International publication number)：1996082915
Application date： Sep. 14, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】本発明は、フォトマスクを用いて所望の形状の投影像光強度分布を得るために、パターン形状の修正や新たなパターンの付与を自動的に行なうパターン設計方法および設計システムを提供することにある。【構成】初期値として入力されたパターンの投影像光強度分布を求める投影像計算工程2、投影像と所望の形状を比較する工程4、および不要の投影像ができる部分にパターンを付加する工程5を設けてマスクパターンの最適化を行なう。

Claim (excerpt)：

投影光学系を介してパターン転写を行なうために使用するフォトマスクのパターン設計方法であって、所望の形状を有する第1のフォトマスクパターンを初期値として与えるパターン入力工程と、前記投影光学系の光学条件を表わすパラメータを入力する光学パラメータ入力工程と、前記投影光学系で得られる前記第1のフォトマスクパターンの投影像光強度分布を計算する投影像演算工程と、前記投影像演算工程で得られる結果を前記の初期値として与えられた前記第1のフォトマスクパターンと比較する比較工程と、前記比較工程で比較した結果が予め指定した許容値より大きい部分に対しては新たな第2のフォトマスクパターンを付与する補正パターン発生工程とを含むことを特徴とするフォトマスクパターン設計方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 502 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平1-107530
ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-194852 Applicant：ソニー株式会社
減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-066934 Applicant：三菱電機株式会社

Show all

Cited by examiner (4)

特開平1-107530
ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-194852 Applicant：ソニー株式会社
減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-066934 Applicant：三菱電機株式会社

Show all

Return to Previous Page