窒化ケイ素質焼結体とその製造方法及びそれを用いた回路基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000213878
Publication number (International publication number)：2002029849
Application date： Jul. 14, 2000
Publication date： Jan. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】パワーモジュール用回路基板等に好適な、機械的特性に優れると共に、高熱伝導特性と電気絶縁性に優れる窒化ケイ素質焼結体を提供する【解決手段】窒化ケイ素86〜99mol%、イットリウム及びランタノイド属の希土類元素からなる群から選ばれる1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更にLi、Mg、Ca、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、更にアルミニウム含有量が1000ppm以下であり、しかも窒化ケイ素のβ率が30%以上の窒化ケイ素組成物を、1MPa以下の窒素加圧雰囲気中1700〜2000°Cで焼成する窒化ケイ素質焼結体の製造方法であり、体積抵抗率が1×1012Ωcm以上、好ましくは、熱伝導率が90W/(m・K)以上である窒化ケイ素焼結体。

Claim (excerpt)：

窒化ケイ素86〜99mol%、イットリウム及びランタノイド属の希土類元素からなる群から選ばれる1種以上を酸化物換算で1〜10mol%、更にLi、Mg、Ca、Ti、Zr、Hfから選ばれる1種以上を酸化物換算で0〜4mol%含有し、体積抵抗率が1×1012Ω・m以上であることを特徴とする窒化ケイ素質焼結体。

IPC (4)：

C04B 35/584 , H01L 23/12 , H01L 23/15 , H05K 1/03 610

FI (6)：

H05K 1/03 610 D , C04B 35/58 102 K , C04B 35/58 102 C , C04B 35/58 102 X , H01L 23/12 D , H01L 23/14 C

F-Term (33)：

4G001BA01 , 4G001BA06 , 4G001BA07 , 4G001BA08 , 4G001BA09 , 4G001BA10 , 4G001BA12 , 4G001BA13 , 4G001BA14 , 4G001BA32 , 4G001BA71 , 4G001BB01 , 4G001BB06 , 4G001BB07 , 4G001BB08 , 4G001BB09 , 4G001BB10 , 4G001BB12 , 4G001BB13 , 4G001BB14 , 4G001BB32 , 4G001BB71 , 4G001BC13 , 4G001BC23 , 4G001BC52 , 4G001BC54 , 4G001BC71 , 4G001BD03 , 4G001BD14 , 4G001BD23 , 4G001BD38 , 4G001BE03 , 4G001BE33

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

窒化珪素質焼結体とその製造方法、それを用いた回路基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-133142 Applicant：電気化学工業株式会社
窒化珪素焼結体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-108937 Applicant：日本碍子株式会社
窒化珪素質焼結体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-133141 Applicant：電気化学工業株式会社

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