半導体発光素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：杉浦正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997115860
Publication number (International publication number)：1998308532
Application date： May. 06, 1997
Publication date： Nov. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】リードフレームなどの基台上に接着剤で接着して使用する場合に、輝度劣化を防止して信頼性の向上を図ることができるとともに、接着剤の選択の自由度を高くすることができる半導体発光素子を提供する。また、外部に光を有効に取り出すことができる半導体発光素子を提供する。【解決手段】 GaN系発光ダイオードにおいて、サファイア基板1の表面に発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層2〜7を積層し、裏面に反射膜11を設ける。あるいは、発光ダイオード構造を形成するGaN系化合物半導体層にエッチングにより逆メサ形状の端面を形成し、この端面に反射膜を設ける。p側電極9およびn側電極10はGaN系化合物半導体層2〜7と同じ側に設ける。

Claim (excerpt)：

光透過性の基板の一方の主面に発光素子構造を形成する窒化物系III-V族化合物半導体層が積層された半導体発光素子において、上記基板の他方の主面に反射膜が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

窒化物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217594 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236483 Applicant：ローム株式会社
特開平2-254773

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Cited by examiner (5)

窒化物半導体発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-217594 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-236483 Applicant：ローム株式会社
半導体発光素子および発光ランプ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-069421 Applicant：三洋電機株式会社

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