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J-GLOBAL ID：200903077274128842

半導体装置の製造方法

Inventor：
石川 英憲

About 石川 英憲


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 船橋 國則
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999259712
Publication number (International publication number)：2001085439
Application date： Sep. 14, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：
【要約】【課題】 不純物をドーピングした多結晶シリコン膜をエッチングする際のマスクとなる無機絶縁膜の成膜を利用して、多結晶シリコン膜中の不純物の拡散を図る。【解決手段】 シリコン膜13中に不純物を導入する工程と、シリコン膜13上に高融点金属化合物膜14を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、高融点金属化合物膜14上にマスクとなる無機絶縁膜15を700°C以上の成膜可能な温度で成膜する工程を備えた製造方法である。
Claim (excerpt)：
シリコン膜中に不純物を導入する工程と、前記シリコン膜上に高融点金属化合物膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法において、前記高融点金属化合物膜上にマスクとなる無機絶縁膜を700°C以上の成膜可能な温度で成膜する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/3213 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78
FI (5)：
H01L 21/88 D ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G
F-Term (49)：
4M104BB01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD43 ,  4M104DD65 ,  4M104DD79 ,  4M104EE05 ,  4M104EE14 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104GG10 ,  4M104HH20 ,  5F033HH04 ,  5F033HH28 ,  5F033LL04 ,  5F033MM05 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ59 ,  5F033QQ65 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033SS04 ,  5F033SS13 ,  5F033VV06 ,  5F033WW03 ,  5F033XX21 ,  5F040DB03 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC03 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF23 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BH12 ,  5F058BJ01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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