半導体集積回路装置の量産方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999245143
Publication number (International publication number)：2001068463
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Mar. 16, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体量産プロセスにおいて、遷移金属によるウエハの汚染を防止する。【解決手段】本発明の半導体集積回路装置の量産方法は、ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、Ru膜の堆積処理を行う工程と、前記Ru膜が堆積された前記各ウエハに対して、前記各ウエハのデバイス面の外縁部または裏面の前記Ru膜を、オルト過ヨウ素酸と硝酸とを含む水溶液を用いて除去する工程と、前記Ru膜が除去された前記各ウエハに対して、下層工程(ゲート絶縁膜形成前の初期素子形成工程および配線工程)群に属する複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程とを有している。

Claim (excerpt)：

以下の工程からなる半導体集積回路装置の量産方法;(a)ウエハプロセスを流れる各ウエハに対して、遷移金属含有膜の堆積処理を行う工程、(b)前記遷移金属含有膜が堆積された前記各ウエハに対して、そのデバイス面の外縁部または裏面の前記遷移金属含有膜を除去する工程、(c)前記遷移金属含有膜が除去された前記各ウエハに対して、下層工程群に属する複数枚のウエハと共用関係にあるリソグラフィ工程、検査工程または熱処理工程を実行する工程。

IPC (3)：

H01L 21/308 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (3)：

H01L 21/308 E , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 651

F-Term (33)：

5F043AA22 , 5F043AA26 , 5F043BB18 , 5F043EE22 , 5F043EE23 , 5F043EE33 , 5F043GG04 , 5F043GG10 , 5F083AD10 , 5F083AD42 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083GA25 , 5F083JA06 , 5F083JA13 , 5F083JA14 , 5F083JA15 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083KA20 , 5F083MA03 , 5F083MA06 , 5F083MA17 , 5F083MA20 , 5F083PR01 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR07 , 5F083PR29 , 5F083PR40 , 5F083ZA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭62-264626
エッチング除去方法および装置と洗浄方法および装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-068898 Applicant：日本電気株式会社
半導体装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-336967 Applicant：株式会社東芝

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