誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003296671
Publication number (International publication number)：2004107200
Application date： Aug. 20, 2003
Publication date： Apr. 08, 2004
Summary：

【課題】誘電体磁器の絶縁破壊電圧を向上でき、誘電体層を薄層化しても静電容量の温度特性を向上できる誘電体磁器およびその製法、並びに積層型電子部品およびその製法を提供する。【解決手段】金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子21と、該主結晶粒子21により形成される二面間粒界相23および三重点粒界相25と、を具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相25にM4R6O(SiO4)6型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)が析出してなる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

金属元素として、Ba、Ti、希土類元素、MgおよびMnを含有するペロブスカイト型複合酸化物からなる主結晶粒子と、該主結晶粒子により形成される二面間粒界相および三重点粒界相と、を具備してなる誘電体磁器であって、前記三重点粒界相に少なくともM4R6O(SiO4)6型結晶相(Mはアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも1種、Rは希土類元素から選ばれる少なくとも1種)が析出してなることを特徴とする誘電体磁器。

IPC (3)：

C04B35/46 , H01B3/12 , H01G4/12

FI (4)：

C04B35/46 D , H01B3/12 303 , H01G4/12 358 , H01G4/12 364

F-Term (36)：

4G031AA01 , 4G031AA03 , 4G031AA04 , 4G031AA05 , 4G031AA06 , 4G031AA07 , 4G031AA08 , 4G031AA11 , 4G031AA19 , 4G031AA30 , 4G031BA09 , 4G031CA01 , 4G031CA05 , 4G031GA01 , 4G031GA08 , 4G031GA16 , 5E001AE02 , 5E001AE03 , 5E001AE04 , 5E001AH01 , 5E001AH06 , 5E001AH08 , 5E001AH09 , 5E001AJ01 , 5E001AJ02 , 5G303AA01 , 5G303AB02 , 5G303AB20 , 5G303BA12 , 5G303CA01 , 5G303CB03 , 5G303CB17 , 5G303CB18 , 5G303CB30 , 5G303CB35 , 5G303CB40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

誘電体磁器及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-157671 Applicant：太陽誘電株式会社

Cited by examiner (7)

積層型コンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-078006 Applicant：京セラ株式会社
誘電体磁器及びその製法並びに積層セラミックコンデンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-054845 Applicant：京セラ株式会社
セラミックコンデンサ原料粉末の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-018441 Applicant：株式会社村田製作所

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