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J-GLOBAL ID：200903077362329742

窒化物半導体受光素子とその製造方法

Inventor： 丸谷 幸利
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Agent (1)： 豊栖 康弘 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002123752
Publication number (International publication number)：2003318434
Application date： Apr. 25, 2002
Publication date： Nov. 07, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高い感度を有する窒化物半導体受光素子を提供する。【解決手段】 n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に積層した受光素子であり、n型窒化物半導体層からp型窒化物半導体層に向かう積層方向を[000-1]方向に一致させた。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層、i型窒化物半導体層及びp型窒化物半導体層を順に積層した受光素子であって、上記n型窒化物半導体層から上記p型窒化物半導体層に向かう積層方向が[000-1]方向に一致することを特徴とする窒化物半導体受光素子。

F-Term (8)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA11 ,  5F049PA15 ,  5F049PA18 ,  5F049PA20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体受光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-109950   Applicant：日本電信電話株式会社
• 火炎センサ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-101215   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 火炎センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-351692   Applicant：大阪瓦斯株式会社
• 窒化物半導体素子の製造方法及び窒化物半導体素子、並びに発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-067673   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-342479   Applicant：株式会社東芝