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J-GLOBAL ID：200903077440536954

プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置

Inventor： 輿水 地塩 ,  大藪 淳 ,  竹内 秀樹 ,  輿石 公
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000253033
Publication number (International publication number)：2001156051
Application date： Aug. 23, 2000
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】 プラズマ処理方法において、チャージアップダメージを減少させる。【解決手段】 平行平板型プラズマ処理装置において、プラズマの点火より前に、被処理基板を保持する電極に、プラズマが点火しないような周波数のバイアスを印加する。またプラズマ消火時にも、前記バイアスを印加した状態でプラズマを消火する。

Claim (excerpt)：

処理室と、前記処理室中に設けられ、被処理基板を担持する電極と、前記処理室中に設けられたプラズマ発生部とを備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、前記電極に、プラズマが点火しない第1の周波数の電力を供給する第1の工程と、前記第プラズマ発生部に、プラズマが点火する第2の周波数の電力を供給する第2の工程とよりなり、前記第1の工程は、前記第2の工程において前記プラズマ発生部によりプラズマが点火されるよりも前に、前記電極に前記第1の周波数の電力が供給されるように実行されることを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (5)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46

FI (5)：

B01J 19/08 H ,  C23C 16/509 ,  C23C 16/511 ,  H05H 1/46 M ,  H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• プラズマ処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-377509   Applicant：東京エレクトロン山梨株式会社, 科学技術振興事業団
• プラズマシース発生高調波をフィルタリングすることによるプラズマプロセス効率の改善
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-339249   Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• プラズマ処理方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-102943   Applicant：株式会社日立製作所