プラズマ処理方法

Inventor：
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：亀谷美明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998377509
Publication number (International publication number)：2000200771
Application date： Dec. 28, 1998
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】【課題】電子シェーディングによるチャージングダメージの発生を防止し,所望の高アスペクト比のコンタクトホールを形成可能なプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】エッチング装置100の処理室102内に配置された第2電極106上にウェハWを載置した後,C4F8とCOとArから成る処理ガスを処理室102内に導入する。第2電極106に対向する第1電極108に高周波電力を間欠的に印加すると共に,第2電極106に連続波の高周波電力を印加する。プラズマの安定化後,処理ガスにO2を間欠的に添加すると共に,コンタクトホールのアスペクト比の増加に応じてO2の添加量を増加させる。第1電極108に印加される高周波電力のオン時に生じた酸素の負イオンが,該電力のオフ時で,かつ第2電極106に印加される高周波電力の正のサイクルの時にコンタクトホール下部に導入され,該ホール下部壁部に生じた正電荷の帯電が解消される。

Claim (excerpt)：

処理室内に少なくともフルオロカーボンを含む処理ガスを導入し,前記処理室内に対向配置された第1電極と第2電極とにそれぞれ高周波電力を印加して前記処理ガスをプラズマ化し,前記第2電極に載置された被処理体に形成された酸化シリコン膜層に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において:前記第2電極に印加する前記高周波電力の周波数は,前記第1電極に印加する前記高周波電力の周波数よりも低く;前記第1電極には,前記高周波電力を間欠的に印加し;前記処理ガスには,酸素が間欠的に添加されること;を特徴とする,プラズマ処理方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (3)：

H01L 21/302 J , C23F 4/00 A , H05H 1/46 M

F-Term (23)：

4K057DA12 , 4K057DA13 , 4K057DB20 , 4K057DD01 , 4K057DD08 , 4K057DE06 , 4K057DE14 , 4K057DE20 , 4K057DM05 , 4K057DM18 , 4K057DM20 , 4K057DM37 , 4K057DN01 , 5F004AA05 , 5F004BA04 , 5F004BB11 , 5F004CA03 , 5F004DA00 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DA30 , 5F004DB03 , 5F004EB01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

プラズマ処理装置および方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-087614 Applicant：後藤俊夫, 東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン山梨株式会社
局所微量ガス添加ドライエッチング装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-065745 Applicant：株式会社日立製作所
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-334969 Applicant：三菱電機株式会社

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