半導体装置およびその作製方法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000118683
Publication number (International publication number)：2001007343
Application date： Apr. 19, 2000
Publication date： Jan. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】制御回路と画素マトリクス回路を有する半導体装置の各回路に配置されるTFTの構造を、回路の機能に応じて適切なものとすることにより、半導体装置の動作特性および信頼性を向上させることを目的とする。【解決手段】制御回路のnチャネル型TFTには少なくともゲート電極とオーバーラップするLDD領域を設け、画素マトリクス回路のnチャネル型TFTにもLDD領域を設け、その両者のLDD領域の濃度を異ならせた構成とすることにより最適な回路動作を得る。

Claim (excerpt)：

同一の基板上に画素部と該画素部の周辺に設けられた駆動回路とを有する半導体装置において、前記画素部と前記駆動回路とは、活性層と、該活性層に設けられたLDD領域と、該活性層と前記基板との間に設けられたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜と前記基板との間に設けられたゲート電極とを有するnチャネル型TFTを少なくとも備え、前記画素部のnチャネル型TFTのLDD領域は、少なくとも一部または全部が、該画素部のnチャネル型TFTのゲート電極と重なるように配置され、前記駆動回路のnチャネル型TFTのLDD領域は、該駆動回路のnチャネル型TFTのゲート電極と重なるように配置され、前記駆動回路のnチャネル型TFTのLDD領域には、前記画素部のnチャネル型TFTのLDD領域よりも高い濃度でn型を付与する不純物元素が含まれることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/786 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 346 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/336

FI (6)：

H01L 29/78 612 B , G09F 9/00 346 A , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , G02F 1/136 500 , H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

表示用薄膜半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-355285 Applicant：ソニー株式会社
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-212716 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-273444 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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