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J-GLOBAL ID：200903077470973836

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
保原 大介

About 保原 大介

, 
近藤 眞一郎

About 近藤 眞一郎


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004283913
Publication number (International publication number)：2006100519
Application date： Sep. 29, 2004
Publication date： Apr. 13, 2006
Summary：
【課題】 微粒子とこの微粒子に結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、その導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置及びその製造方法であって、微粒子のコロイド溶液を形成する際に、微粒子同士の凝集を防止するために微粒子に結合させた保護膜分子を、置換する必要のない半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 金などの導体又は半導体からなる微粒子9に結合した保護膜分子11と、その微粒子9に隣接した微粒子9に結合した他の保護膜分子11との間に結合を形成させ、この結果生成する有機半導体分子12によって、隣接する微粒子9を連結する。この方法によれば、有機半導体分子12内の導電路が微粒子9内の導電路によって連結され、有機半導体分子12内の移動度を最大限に利用することができる、三次元ネットワーク型の導電路を、保護膜分子を置換する方法によらず、得ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
導体又は半導体からなる微粒子と、この微粒子と結合した有機半導体分子とによって導電路が形成され、この導電路の導電性が電界によって制御されるように構成された半導体装置において、 前記微粒子に結合した保護膜分子と、隣接する前記微粒子に結合した他の保護膜分子 とが結合を形成して、前記微粒子間を連結する前記有機半導体分子を構成している ことを特徴とする、半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05
FI (3)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/28
F-Term (32)：
5F110AA01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE08 ,  5F110EE29 ,  5F110EE30 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG07 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (1)

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