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J-GLOBAL ID:200903077474908672

非晶質炭素膜成形体及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 清水 守
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003082053
Publication number (International publication number):2004284915
Application date: Mar. 25, 2003
Publication date: Oct. 14, 2004
Summary:
【課題】非晶質炭素膜の機械的強度もしくは化学的安定性を劣化させることなく、導電性を付与することができる非晶質炭素膜成形体及びその製造方法を提供する。【解決手段】グラファイト構造を有するクラスターを、炭素の非晶質ネットワークを主体とする薄膜構造中に内包することを特徴とする非晶質炭素膜成形体であって、金属元素を添加した非晶質炭素膜に低エネルギーの電子線を照射することにより製造する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
低エネルギー電子線照射によって形成されるグラファイト構造を有するクラスターを、炭素の非晶質ネットワークを主体とする薄膜構造中に内包することを特徴とする非晶質炭素膜成形体。
IPC (3):
C01B31/02 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58
FI (3):
C01B31/02 101A ,  C23C14/06 F ,  C23C14/58 C
F-Term (24):
4G146AA02 ,  4G146AA16 ,  4G146AB07 ,  4G146AC16A ,  4G146AC16B ,  4G146AC20B ,  4G146AD02 ,  4G146AD24 ,  4G146AD25 ,  4G146BA02 ,  4G146BC10 ,  4G146BC31A ,  4G146CB16 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA34 ,  4K029BB10 ,  4K029BC02 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC15 ,  4K029GA00
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (6)
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Cited by examiner (7)
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