メモリセル装置及びその製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：富村潔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996322253
Publication number (International publication number)：1997153599
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Jun. 10, 1997
Summary：

【要約】【課題】ギガビットDRAM及び不揮発メモリに適し、公知の解決方法に比べて処理経費を節減して製造可能のメモリセル装置及びこのようなメモリセル装置の製造方法を提供する。【解決手段】積層コンデンサを有するメモリセル装置内に強誘電性又は常誘電性のメモリ誘電体を有する縦形メモリコンデンサを使用する。メモリコンデンサの製造に全面的にメモリ誘電体用誘電層11を形成する。引続きこの誘電層11を構造化し、メモリコンデンサ用の第1の電極13及び第2の電極16を形成する。

Claim (excerpt)：

半導体層構造内にそれぞれ選択トランジスタとメモリコンデンサを含んでいる多数の個別のメモリセルが備えられており、互いに横方向にほぼ平行に延びているビット線(6)と、ほぼ垂直方向に延びているワード線(5)が備えられており、少なくとも選択トランジスタが絶縁層(8)の下方に配設されており、メモリコンデンサ(13、11、16)が絶縁層(8)上に配設されており、メモリコンデンサがそれぞれ第1の電極(13)、メモリ誘電体(11)及び第2の電極(16)を含んでおり、メモリ誘電体(11)が強誘電性又は常誘電性物質を含んでおり、第1の電極(13)、メモリ誘電体(11)及び第2の電極(16)がそれぞれ互いに並列に絶縁層(8)の上方に配設されていることを特徴とするメモリセル装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 621 B , H01L 27/04 C , H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-149519 Applicant：セイコーエプソン株式会社
強誘電体膜を有する半導体メモリ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-273231 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
半導体記憶装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-283047 Applicant：株式会社日立製作所

Show all

Return to Previous Page