Pat
J-GLOBAL ID：200903077596597740

半導体素子

Inventor：
加藤 禎宏

About 加藤 禎宏

, 
佐藤 義浩

About 佐藤 義浩

, 
吉田 清輝

About 吉田 清輝


Applicant, Patent owner：
古河電気工業株式会社

About 古河電気工業株式会社


Agent (1)： 酒井 宏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006041426
Publication number (International publication number)：2007221001
Application date： Feb. 17, 2006
Publication date： Aug. 30, 2007
Summary：
【課題】所定値以上の格子定数の差を有する複数の窒化物系化合物半導体層を結晶性の良い状態で多層形成することができ、エピタキシャル成長方向への貫通転位の伝播を抑制できること。【解決手段】この発明にかかる半導体素子100は、GaN等の窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層11と、この化合物半導体層11に対する格子定数差が0.7%以上であるAlN等の窒化物系化合物半導体によって形成される化合物半導体層13と、層領域内の微小部分での格子定数差が0.7%以下である中間層12と含む多層構造を備える。この場合、中間層12は、化合物半導体層11,13の積層界面に介在し、両端の化合物半導体層11,13の接合界面での格子定数差を0.7%以下にする。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
窒化物系化合物半導体によって形成される第1の層と、 前記第1の層に対する格子定数差が0.7%以上である窒化物系化合物半導体によって形成される第2の層と、 前記第1の層と前記第2の層との積層界面に介在し、前記第1の層の接合界面での格子定数差と前記第2の層の接合界面での格子定数差と両端の前記接合界面に挟まれた領域内の微小部分での格子定数差とがいずれも0.7%以下である中間層と、 を備えたことを特徴とする半導体素子。
IPC (6)：
H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/205
FI (5)：
H01L29/80 H ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 J ,  H01L21/205
F-Term (37)：
4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB06 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD34 ,  4M104FF13 ,  4M104GG12 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045DA53 ,  5F045DA58 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
Show all
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM