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J-GLOBAL ID：200903077600143296

DNA固定化FETセンサ及びその作製方法

Inventor：
釜堀 政男

About 釜堀 政男

, 
石毛 悠

About 石毛 悠


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 平木 祐輔
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005129697
Publication number (International publication number)：2006308373
Application date： Apr. 27, 2005
Publication date： Nov. 09, 2006
Summary：
【課題】最適なハイブリダイゼーション効率と金電極表面の良好なシールド効果を共に維持できるDNAプローブ固定化法、及びその方法を用いて作製したDNA固定化FETセンサを提供する。【解決手段】DNAプローブとリンカーを分子数比が1:2〜1:100のDNA固定化溶液で、電界効果トランジスタのゲートと配線で接続された金電極にDNAプローブを固定化することにより、固定化密度が4×1012個/cm2以下に制御でき、最適なハイブリダイゼーション効率維持を達成できる。その際問題となる延長ゲート型FETセンサの金電極表面の溶液中のイオンの影響は、DNA固定化溶液中のアルカンチオールの固定化密度を4×1014個/cm2以上に制御すれば、金電極表面のシールド効果が維持されて、取り除くことができる。その際のDNA固定化溶液中のアルカンチオールの濃度が0.5mM以上であれば、該アルカンチオールの固定化密度を制御できる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
電界効果トランジスタのゲートと配線で接続された金電極にDNAプローブを固定化してDNA固定化FETセンサを作製する方法において、 金電極と結合する反応基を有するリンカーと結合したDNAプローブと金電極と結合する反応基を有するリンカーのみを有する化合物を含む固定化溶液を調製する工程と、 前記固定化溶液を前記金電極表面に接触させる工程と を有することを特徴とするDNA固定化FETセンサ作製方法。
IPC (7)：
G01N 27/414 ,  G01N 33/53 ,  G01N 33/483 ,  G01N 27/30 ,  C12N 15/09 ,  C12M 1/00 ,  C12Q 1/68
FI (7)：
G01N27/30 301Y ,  G01N33/53 M ,  G01N33/483 F ,  G01N27/30 F ,  C12N15/00 F ,  C12M1/00 A ,  C12Q1/68 A
F-Term (22)：
2G045DA13 ,  2G045FA34 ,  2G045FB05 ,  4B024AA11 ,  4B024CA04 ,  4B024CA09 ,  4B024HA12 ,  4B029AA07 ,  4B029AA23 ,  4B029BB20 ,  4B029CC03 ,  4B029FA15 ,  4B063QA18 ,  4B063QQ42 ,  4B063QQ52 ,  4B063QR55 ,  4B063QR62 ,  4B063QR82 ,  4B063QS25 ,  4B063QS34 ,  4B063QS39 ,  4B063QX04
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (8)
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Cited by examiner (8)
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