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J-GLOBAL ID：200903077631316563

多層基板、及びモジュール

Inventor：
栗田 英之

About 栗田 英之

, 
中村 雅之

About 中村 雅之


Applicant, Patent owner：
ソニーケミカル株式会社

About ソニーケミカル株式会社


Agent (1)： 石島 茂男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999196859
Publication number (International publication number)：2001024333
Application date： Jul. 12, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】半導体デバイスを搭載しても、厚みが増さないモジュールを提供する。【解決手段】容器側の積層基板10aの収容部57内に半導体デバイス47を収容し、半導体デバイス47のボンディングパッド42を収容部57底面に露出するバンプ16a上に当接させ、加熱・押圧して、収容部57上の接着層を溶融させ、半導体デバイスを容器側の積層基板10aに貼付した後、蓋側の積層基板6bを容器側の積層基板10aに電気的・機械的に接続する。半導体デバイス47が多層基板10中に埋設されたモジュール47が得られる。半導体デバイス47の回路形成面49近傍に、大面積のシールド部28を配置し、接地電位に接続すると、半導体デバイス47にノイズが侵入しない。
Claim (excerpt)：
樹脂フィルムと、前記樹脂フィルム上に配置された配線膜とを有する単層基板が複数層積層され、前記各単層基板の前記配線膜は、バンプで電気的に接続された多層基板であって、前記単層基板には、貫通孔が形成された第1の単層基板と、前記第1の単層基板に接続された第2の単層基板とが含まれ、前記第1の単層基板が複数層積層され、各第1の単層基板の貫通孔と前記第2の単層基板によって、有底の収容部が構成されたことを特徴とする多層基板。
IPC (2)：
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (2)：
H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N
F-Term (10)：
5E346AA42 ,  5E346AA43 ,  5E346CC08 ,  5E346FF24 ,  5E346FF45 ,  5E346GG15 ,  5E346GG28 ,  5E346HH07 ,  5E346HH17 ,  5E346HH31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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