Pat
J-GLOBAL ID：200903077701628720

半導体レーザ素子及びその製造方法

Inventor：
藤井 良久

About 藤井 良久


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 小池 隆彌
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999149103
Publication number (International publication number)：2000340893
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Dec. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 p型クラッド層のドーピング制御の安定化と実用的な信頼性とを両立した化合物半導体レーザ素子を製造する。【解決手段】 n型クラッド層、n型電流ブロック層の少なくとも一方はIV族元素とVI族元素を同時に添加した層を用いる。
Claim (excerpt)：
少なくとも、n型不純物ドープ層、活性層、p型不純物ドープ層を備えたIII-V族化合物半導体からなる半導体レーザ素子であって、前記n型不純物ドープ層は、その不純物として、IV族元素とVI族元素とを共に添加してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2)：
H01S 5/323 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 21/205
F-Term (17)：
5F045AA04 ,  5F045AB10 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB08 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045EB08 ,  5F073BA05 ,  5F073CA05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA11 ,  5F073EA28
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 特開平1-286482
  • 特開平2-113586
  • 特開平4-010486
Show all
Cited by examiner (19)
  • 特開平4-010486
  • 特開平4-030589
  • 特開平4-010486
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM