Pat
J-GLOBAL ID:200903077701628720
半導体レーザ素子及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小池 隆彌
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999149103
Publication number (International publication number):2000340893
Application date: May. 28, 1999
Publication date: Dec. 08, 2000
Summary:
【要約】【課題】 p型クラッド層のドーピング制御の安定化と実用的な信頼性とを両立した化合物半導体レーザ素子を製造する。【解決手段】 n型クラッド層、n型電流ブロック層の少なくとも一方はIV族元素とVI族元素を同時に添加した層を用いる。
Claim (excerpt):
少なくとも、n型不純物ドープ層、活性層、p型不純物ドープ層を備えたIII-V族化合物半導体からなる半導体レーザ素子であって、前記n型不純物ドープ層は、その不純物として、IV族元素とVI族元素とを共に添加してなることを特徴とする半導体レーザ素子。
IPC (2):
FI (2):
H01S 3/18 673
, H01L 21/205
F-Term (17):
5F045AA04
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC01
, 5F045AC19
, 5F045AD11
, 5F045AF04
, 5F045BB08
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045EB08
, 5F073BA05
, 5F073CA05
, 5F073CB19
, 5F073DA11
, 5F073EA28
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (7)
-
特開平1-286482
-
特開平2-113586
-
特開平4-010486
-
特開平4-030589
-
半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-224149
Applicant:シャープ株式会社
-
AlGaAs系半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-141439
Applicant:シャープ株式会社
-
半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-298488
Applicant:ソニー株式会社
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Cited by examiner (19)
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特開平4-010486
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特開平4-030589
-
特開平4-010486
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半導体レーザ装置およびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-224149
Applicant:シャープ株式会社
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特開平4-010486
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半導体レーザ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-298488
Applicant:ソニー株式会社
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AlGaAs系半導体レーザ素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-141439
Applicant:シャープ株式会社
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特開平2-113586
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特開平2-113586
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特開平1-286482
-
特開平1-286482
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特開平2-113586
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特開平1-286482
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特開平4-010486
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特開平2-113586
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特開平1-286482
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特開平4-010486
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特開平2-113586
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特開平1-286482
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