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J-GLOBAL ID：200903077722600809

薄膜電極の製造方法

Inventor： 岸岡 真也
Applicant, Patent owner： 国立大学法人長岡技術科学大学
Agent (1)： 芳村 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007012113
Publication number (International publication number)：2008181906
Application date： Jan. 23, 2007
Publication date： Aug. 07, 2008
Summary：

【課題】基板との密着性が良好で、しかも光透過性に優れかつ高度な平滑性や配向性を有する薄膜電極を、安価な製造装置を使用して簡単な工程で、低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】天然マイカのへき開面のような、へき開性を有する単結晶状態の(100)配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記(100)配向面を剥離することにより薄膜電極を製造する。導電性薄膜は、金属又は金属酸化物、特に貴金属又は貴金属酸化物により構成することが好ましい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

へき開性を有する単結晶状態の(100)配向面に導電性薄膜を形成した後に、該導電性薄膜を高分子接着剤層を介して基板に接合し、前記(100)配向面を剥離することを特徴とする薄膜電極の製造方法。

IPC (9)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/14 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/26 ,  H05B 33/10 ,  C23C 14/24 ,  C23C 14/34 ,  C30B 29/16 ,  C30B 23/08

FI (9)：

H01L21/285 Z ,  C23C14/14 D ,  H05B33/14 A ,  H05B33/26 Z ,  H05B33/10 ,  C23C14/24 S ,  C23C14/34 S ,  C30B29/16 ,  C30B23/08

F-Term (49)：

3K107AA01 ,  3K107CC25 ,  3K107CC45 ,  3K107DD12 ,  3K107DD13 ,  3K107DD16 ,  3K107DD21 ,  3K107DD22 ,  3K107DD26 ,  3K107DD27 ,  3K107DD42X ,  3K107DD42Y ,  3K107DD45X ,  3K107DD45Y ,  3K107DD46X ,  3K107DD46Y ,  3K107GG04 ,  3K107GG05 ,  4G077AA03 ,  4G077BA01 ,  4G077BB10 ,  4G077DA11 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077FF01 ,  4G077FG14 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA05 ,  4G077SB01 ,  4K029AA04 ,  4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA05 ,  4K029BA43 ,  4K029BC03 ,  4K029CA01 ,  4K029CA05 ,  4K029DB03 ,  4K029DB05 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029GA05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104DD31 ,  4M104EE02 ,  4M104EE18 ,  4M104HH08

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 薄膜電極及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-052388   Applicant：グンゼ株式会社
• 剥離方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-300373   Applicant：セイコーエプソン株式会社