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J-GLOBAL ID：200903077780672399

プラズマCVD方法及びプラズマCVD装置

Inventor：
中嶋 節男

About 中嶋 節男

, 
伊藤 巧

About 伊藤 巧

, 
江口 勇司

About 江口 勇司


Applicant, Patent owner：
積水化学工業株式会社

About 積水化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002197780
Publication number (International publication number)：2004039993
Application date： Jul. 05, 2002
Publication date： Feb. 05, 2004
Summary：
【課題】常圧下において金属含有薄膜を、産業上利用可能な成膜速度で形成できるようにし、さらにメンテナンス間隔の伸長をはかる。【解決手段】常圧でプラズマ空間Pを発生させる電極2,3と、そのプラズマ空間Pに反応ガスを供給する反応ガス供給源7と、プラズマ空間Pを通過した反応ガスの吹出口1b近傍に金属含有ガスを供給する金属含有ガス供給源8と、プラズマ空間Pを通過した反応ガスと金属含有ガスの合流ガスが流れる方向を排気制御する排気機構9を設け、プラズマ空間Pを通過した反応ガスと、プラズマ励起を行わない金属含有ガスとを合流させ、その合流ガスを基材Sの被処理面に接触させて成膜を行う。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
金属含有ガスとその金属含有ガスと反応する反応ガスを用いるプラズマCVD方法であって、前記反応ガスを大気圧近傍の圧力条件で発生させたプラズマ空間を通過させ、そのプラズマ空間通過後の反応ガスに前記金属含有ガスを合流させ、この合流ガスを基材に接触させることを特徴とするプラズマCVD方法。
IPC (6)：
H01L21/31 ,  B01J19/08 ,  C23C16/453 ,  C23C16/50 ,  H01L21/316 ,  H05H1/24
FI (6)：
H01L21/31 C ,  B01J19/08 H ,  C23C16/453 ,  C23C16/50 ,  H01L21/316 X ,  H05H1/24
F-Term (42)：
4G075AA24 ,  4G075AA62 ,  4G075BC04 ,  4G075BD01 ,  4G075CA24 ,  4G075CA25 ,  4G075CA26 ,  4G075DA02 ,  4G075EB42 ,  4G075EC09 ,  4G075EC21 ,  4G075ED13 ,  4G075FB02 ,  4G075FB04 ,  4G075FB06 ,  4G075FB12 ,  4G075FC15 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA01 ,  4K030GA04 ,  4K030KA30 ,  4K030KA49 ,  4K030LA15 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE29 ,  5F045AF03 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045DP27 ,  5F045EH00 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF80
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (7)
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